| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 - N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Транзисторы полевые 2N6661JTVP02
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.