| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 14A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-254AA |
| Package / Case | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA - N-Channel 400V 14A (Ta) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA
Транзисторы полевые 2N6768T1
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.