РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

2N6770T1

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 134749

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Bulk  
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 150W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 12A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-254AA 
Package / Case TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) 

Описание

MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA - N-Channel 500V 12A (Ta) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA

Транзисторы полевые 2N6770T1

Datasheet 2N6770T1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.