Manufacturer | Microsemi Corporation |
Series | - |
Packaging | Bulk |
Part Status | Active |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 12A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-254AA |
Package / Case | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA - N-Channel 500V 12A (Ta) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA
Транзисторы полевые 2N6770T1
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.