| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.69A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 8.33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 Ohm @ 1.07A, 5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF - N-Channel 100V 1.69A (Tc) 8.33W (Tc) Through Hole TO-39
Транзисторы полевые 2N6901
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.