РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

2N7002L6327HTSA1

Производитель: Infineon Technologies
Арт: 130951

Техническая спецификация

Manufacturer Infineon Technologies 
Series OptiMOS™ 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 500mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PG-SOT23-3 
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 

Описание

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 - N-Channel 60V 300mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3

Транзисторы полевые 2N7002L6327HTSA1

Datasheet 2N7002L6327HTSA1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
2N7002L6327HTSA1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.