РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

2N7002PM,315

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136632

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Vgs (Max) ±20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 250mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package DFN1006-3 
Package / Case SC-101, SOT-883 

Описание

MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883 - N-Channel 60V 300mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3

Транзисторы полевые 2N7002PM,315

Datasheet 2N7002PM,315 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
2N7002PM,315
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.