РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

2N7002T,215

Производитель: NXP USA Inc.
Арт: 136605

Техническая спецификация

Manufacturer NXP USA Inc. 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 830mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23) 
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 

Описание

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 - N-Channel 60V 300mA (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)

Транзисторы полевые 2N7002T,215

Datasheet 2N7002T,215 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 6 шт.
Цена доступна по запросу
2N7002T,215
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.