| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 20V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 14A, 10V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220ML |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML - P-Channel 60V 28A (Ta) Through Hole TO-220ML
Транзисторы полевые 2SJ652-RA11
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.