РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

2SJ661-DL-E

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 133260

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4360pF @ 20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.65W (Ta), 65W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 19A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package SMP-FD 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD - P-Channel 60V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount SMP-FD

Транзисторы полевые 2SJ661-DL-E

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Цена доступна по запросу
2SJ661-DL-E
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.