| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 20V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 14A, 10V |
| Operating Temperature | 150°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
MOSFET P-CH 100V 27A TO263 - P-Channel 100V 27A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Транзисторы полевые 2SJ665-DL-1EX
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.