РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

2SK1119(F)

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Арт: 130901

Техническая спецификация

Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 100W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 Ohm @ 2A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220AB 
Package / Case TO-220-3 

Описание

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB - N-Channel 1000V 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB

Транзисторы полевые 2SK1119(F)

Datasheet 2SK1119(F) (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
2SK1119(F)
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.