| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN - N-Channel 900V 3A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Транзисторы полевые 2SK2719(F)
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.