| Manufacturer | Renesas Electronics America |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 84W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 40A, 10V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Package / Case | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB - N-Channel 40V 80A (Tc) 1.5W (Ta), 84W (Tc) Through Hole TO-220AB
Транзисторы полевые 2SK3430-Z-E1-AZ
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.