Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Series | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 267pF @ 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 Ohm @ 1.5A, 10V |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | PW-MOLD |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD - N-Channel 250V 3A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Транзисторы полевые 2SK3462(TE16L1,NQ)
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.