Manufacturer | ON Semiconductor |
Series | - |
Packaging | Tray |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 30V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 110W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 Ohm @ 1A, 10V |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3PB |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PB - N-Channel 1500V 2A (Ta) 2.5W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-3PB
Транзисторы полевые 2SK3746
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.