РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

2SK3816-DL-1E

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 135044

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1780pF @ 20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.65W (Ta), 50W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 20A, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-263-2 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 60V 40A - N-Channel 60V 40A (Ta) 1.65W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263-2

Транзисторы полевые 2SK3816-DL-1E

Datasheet 2SK3816-DL-1E (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 13 шт.
Цена доступна по запросу
2SK3816-DL-1E
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.