РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

2SK4093TZ-E

Производитель: Renesas Electronics America
Арт: 134327

Техническая спецификация

Manufacturer Renesas Electronics America 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4V 
Vgs (Max) ±10V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 Ohm @ 500mA, 4V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-92MOD 
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body 

Описание

MOSFET N-CH 250V 1A TO-92 - N-Channel 250V 1A (Ta) 900mW (Ta) Through Hole TO-92MOD

Транзисторы полевые 2SK4093TZ-E

Datasheet 2SK4093TZ-E (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.