| Manufacturer | Renesas Electronics America |
| Series | - |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 4V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 98pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 Ohm @ 500mA, 4V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
MOSFET N-CH 150V 1A TO-92 - N-Channel 150V 1A (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92
Транзисторы полевые 2SK4151TZ-E
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.