| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Series | - |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.43nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.5pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4 Ohm @ 50mA, 4V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-CP |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
MOSFET P-CH 30V 100MA CP - P-Channel 30V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
Транзисторы полевые 3LP01C-TB-E
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.