РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

5HN01M-TL-E

Производитель: ON Semiconductor
Арт: 135399

Техническая спецификация

Manufacturer ON Semiconductor 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6.2pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 50mA, 10V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 3-MCP 
Package / Case SC-70, SOT-323 

Описание

MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 - N-Channel 50V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-MCP

Транзисторы полевые 5HN01M-TL-E

Datasheet 5HN01M-TL-E (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
5HN01M-TL-E
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.