| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | - |
| Package / Case | - |
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC - N-Channel 20V 10A (Ta), 12A (Tc) 2W Surface Mount
Транзисторы полевые 62-0095PBF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.