Manufacturer | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Series | - |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 19A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 432pF @ 15V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 4.2W (Ta), 21W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37.5 mOhm @ 12A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-251A |
Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
MOSFET N-CH 30V 8A TO251A - N-Channel 30V 8A (Ta), 19A (Tc) 4.2W (Ta), 21W (Tc) Through Hole TO-251A
Транзисторы полевые AOI4102
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.