Manufacturer | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Series | - |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Ta), 85A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8140pF @ 30V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 20A, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3F |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A - N-Channel 60V 17.5A (Ta), 85A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Транзисторы полевые AOTF262L
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.