РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT100GN120B2G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 80171
2 896.80 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 245A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A 
Power - Max 960W 
Switching Energy 11mJ (on), 9.5mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 540nC 
Td (on/off) @ 25°C 50ns/615ns 
Test Condition 800V, 100A, 1 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 Variant 

Описание

IGBT 1200V 245A 960W TMAX - IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole

IGBT транзисторы APT100GN120B2G

Datasheet APT100GN120B2G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Мин. кол-воЦена
2 896.80 р. 
10 2 679.85 р. 
25 2 462.52 р. 
100 2 288.71 р. 
APT100GN120B2G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.