РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT100GN60B2G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 79766
1 174.02 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 229A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 100A 
Power - Max 625W 
Switching Energy 4.7mJ (on), 2.675mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 600nC 
Td (on/off) @ 25°C 31ns/310ns 
Test Condition 400V, 100A, 1 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 Variant 

Описание

IGBT 600V 229A 625W TMAX - IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole

IGBT транзисторы APT100GN60B2G

Datasheet APT100GN60B2G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 66 шт.
Мин. кол-воЦена
1 174.02 р. 
10 1 056.92 р. 
25 962.96 р. 
100 869.02 р. 
250 798.56 р. 
500 728.10 р. 
APT100GN60B2G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.