| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 8A |
| Power - Max | 156W |
| Switching Energy | 300µJ (on), 285µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 65nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 7ns/100ns |
| Test Condition | 800V, 8A, 10 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 [B] |
IGBT 1200V 25A 156W TO247 - IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B]
IGBT транзисторы APT11GF120BRDQ1G
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.