РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT150GN60B2G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 80217
2 172.60 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 220A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 450A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 150A 
Power - Max 536W 
Switching Energy 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 970nC 
Td (on/off) @ 25°C 44ns/430ns 
Test Condition 400V, 150A, 1 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 Variant 

Описание

IGBT 600V 220A 536W SOT227 - IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole

IGBT транзисторы APT150GN60B2G

Datasheet APT150GN60B2G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 19 шт.
Мин. кол-воЦена
2 172.60 р. 
10 1 975.13 р. 
25 1 826.98 р. 
100 1 678.83 р. 
250 1 530.70 р. 
APT150GN60B2G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.