| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 283A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
| Power - Max | 682W |
| Switching Energy | 13mJ (on), 11mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 1180nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/560ns |
| Test Condition | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
IGBT 600V 283A 682W TO247 - IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
IGBT транзисторы APT200GN60B2G
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 2 435.76 р. |
| 10 | 2 253.38 р. |
| 25 | 2 070.68 р. |
| 100 | 1 924.52 р. |
| 250 | 1 766.17 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.