РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT20GF120BRDQ1G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 81780

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 36A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 64A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 15A 
Power - Max 200W 
Switching Energy 895µJ (on), 840µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 100nC 
Td (on/off) @ 25°C 10ns/120ns 
Test Condition 800V, 15A, 4.3 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 [B] 

Описание

IGBT 1200V 36A 200W TO247 - IGBT NPT 1200V 36A 200W Through Hole TO-247 [B]

IGBT транзисторы APT20GF120BRDQ1G

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Цена доступна по запросу
APT20GF120BRDQ1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.