РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT20GN60BDQ1G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 80761
373.99 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 40A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 20A 
Power - Max 136W 
Switching Energy 230µJ (on), 580µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 120nC 
Td (on/off) @ 25°C 9ns/140ns 
Test Condition 400V, 20A, 4.3 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 [B] 

Описание

IGBT 600V 40A 136W TO247 - IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B]

IGBT транзисторы APT20GN60BDQ1G

Datasheet APT20GN60BDQ1G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Мин. кол-воЦена
373.99 р. 
APT20GN60BDQ1G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.