| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Power - Max | 521W |
| Switching Energy | 434µJ (on), 466µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 203nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/122ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
IGBT 1200V 75A 521W TO247 - IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
IGBT транзисторы APT25GR120BSCD10
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.