| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 64A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
| Power - Max | 357W |
| Switching Energy | 1.315µJ (on), 1.515µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 170nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/185ns |
| Test Condition | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
IGBT 1200V 64A 357W TMAX - IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
IGBT транзисторы APT33GF120B2RDQ2G
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 1 968.60 р. |
| 10 | 1 789.39 р. |
| 25 | 1 655.17 р. |
| 100 | 1 520.97 р. |
| 250 | 1 386.77 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.