РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT35GN120L2DQ2G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 79698
1 327.02 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type NPT, Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 94A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 105A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A 
Power - Max 379W 
Switching Energy 2.315mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 220nC 
Td (on/off) @ 25°C 24ns/300ns 
Test Condition 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-264-3, TO-264AA 

Описание

IGBT 1200V 94A 379W TO264 - IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole

IGBT транзисторы APT35GN120L2DQ2G

Datasheet APT35GN120L2DQ2G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 65 шт.
Мин. кол-воЦена
1 327.02 р. 
10 1 194.52 р. 
25 1 088.38 р. 
100 982.20 р. 
250 902.56 р. 
500 822.92 р. 
APT35GN120L2DQ2G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.