РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT35GP120JDQ2

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 75511
3 695.15 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series POWER MOS 7® 
Part Status Active 
IGBT Type PT 
Configuration Single 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 64A 
Power - Max 284W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A 
Current - Collector Cutoff (Max) 350µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.24nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case ISOTOP 
Supplier Device Package ISOTOP® 

Описание

IGBT 1200V 64A 284W SOT227 - IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP®

IGBT модули APT35GP120JDQ2

Datasheet APT35GP120JDQ2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
3 695.15 р. 
APT35GP120JDQ2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.