| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | POWER MOS 8™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 78A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 129A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 25A |
| Power - Max | 337W |
| Switching Energy | 875µJ (on), 425µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 116nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/82ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 4.7 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 [B] |
IGBT 900V 78A 337W TO-247 - IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
IGBT транзисторы APT43GA90B
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 817.02 р. |
| 10 | 734.91 р. |
| 25 | 669.61 р. |
| 100 | 604.27 р. |
| 250 | 555.28 р. |
| 500 | 506.28 р. |
| 1,000 | 440.96 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.