РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT45GR65SSCD10

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 82580

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Bulk  
Part Status Obsolete 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 118A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 224A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A 
Power - Max 543W 
Input Type Standard 
Gate Charge 203nC 
Td (on/off) @ 25°C 15ns/100ns 
Test Condition 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 80ns 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package D3Pak 

Описание

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO - IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak

IGBT транзисторы APT45GR65SSCD10

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.