| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 135A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 781W |
| Switching Energy | 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 340nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/260ns |
| Test Condition | 800V, 50A, 1 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
IGBT 1200V 135A 781W TMAX - IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole
IGBT транзисторы APT50GF120B2RG
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 1 936.10 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.