РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT50GF120JRDQ3

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 75313
6 891.12 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Configuration Single 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 120A 
Power - Max 521W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A 
Current - Collector Cutoff (Max) 750µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 5.32nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case ISOTOP 
Supplier Device Package ISOTOP® 

Описание

IGBT 1200V 120A 521W SOT227 - IGBT Module NPT Single 1200V 120A 521W Chassis Mount ISOTOP®

IGBT модули APT50GF120JRDQ3

Datasheet APT50GF120JRDQ3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Мин. кол-воЦена
6 891.12 р. 
10 6 485.47 р. 
25 6 080.10 р. 
100 5 796.36 р. 
APT50GF120JRDQ3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.