| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 134A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 543W |
| Switching Energy | 4495µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 315nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 28ns/320ns |
| Test Condition | 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
IGBT 1200V 134A 543W TO264 - IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
IGBT транзисторы APT50GN120L2DQ2G
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 1 942.08 р. |
| 10 | 1 765.31 р. |
| 25 | 1 632.94 р. |
| 100 | 1 500.55 р. |
| 250 | 1 368.15 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.