РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT50GR120B2

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 80213
1 237.26 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 117A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 50A 
Power - Max 694W 
Switching Energy 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 445nC 
Td (on/off) @ 25°C 28ns/237ns 
Test Condition 600V, 50A, 4.3 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 1200V 117A 694W TO247 - IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы APT50GR120B2

Datasheet APT50GR120B2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Мин. кол-воЦена
1 237.26 р. 
10 1 125.16 р. 
25 1 040.81 р. 
100 956.41 р. 
250 872.02 р. 
500 815.77 р. 
APT50GR120B2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.