РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT50GR120JD30

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 75464
3 320.46 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Configuration Single 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 84A 
Power - Max 417W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 50A 
Current - Collector Cutoff (Max) 1.1mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 5.55nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case SOT-227-4 
Supplier Device Package SOT-227 

Описание

IGBT 1200V 84A 417W SOT227 - IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227

IGBT модули APT50GR120JD30

Datasheet APT50GR120JD30 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
3 320.46 р. 
APT50GR120JD30
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.