РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT50GT120B2RDQ2G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 81272
1 622.85 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series Thunderbolt IGBT® 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 94A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A 
Power - Max 625W 
Switching Energy 2330µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 340nC 
Td (on/off) @ 25°C 24ns/230ns 
Test Condition 800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 

Описание

IGBT 1200V 94A 625W TO247 - IGBT NPT 1200V 94A 625W Through Hole

IGBT транзисторы APT50GT120B2RDQ2G

Datasheet APT50GT120B2RDQ2G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 12 шт.
Мин. кол-воЦена
1 622.85 р. 
APT50GT120B2RDQ2G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.