РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT50GT120LRDQ2G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 81292
1 744.09 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series Thunderbolt IGBT® 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 106A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A 
Power - Max 694W 
Switching Energy 2585µJ (on), 1910µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 240nC 
Td (on/off) @ 25°C 23ns/215ns 
Test Condition 800V, 50A, 1 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-264-3, TO-264AA 
Supplier Device Package TO-264 [L] 

Описание

IGBT 1200V 106A 694W TO264 - IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole TO-264 [L]

IGBT транзисторы APT50GT120LRDQ2G

Datasheet APT50GT120LRDQ2G (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Мин. кол-воЦена
1 744.09 р. 
APT50GT120LRDQ2G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.