| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 1000V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2A, 20V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D3Pak |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
MOSFET N-CH 700V D3PAK - N-Channel 1700V 4.6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D3Pak
Транзисторы полевые APT5SM170S
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.