| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | POWER MOS 7® |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 250A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
| Power - Max | 833W |
| Switching Energy | 605µJ (on), 896µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/91ns |
| Test Condition | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
IGBT 600V 100A 833W TMAX - IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
IGBT транзисторы APT65GP60B2G
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 2 181.78 р. |
| 10 | 1 983.80 р. |
| 25 | 1 835.06 р. |
| 100 | 1 686.26 р. |
| 250 | 1 537.47 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.