РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT75GN60B2DQ3G

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 81784

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 155A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 225A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A 
Power - Max 536W 
Switching Energy 2500µJ (on), 2140µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 485nC 
Td (on/off) @ 25°C 47ns/385ns 
Test Condition 400V, 75A, 1 Ohm, 15V 
Operating Temperature 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-264-3, TO-264AA 
Supplier Device Package 

Описание

IGBT 600V 155A 536W TO264 - IGBT 600V 155A 536W Through Hole

IGBT транзисторы APT75GN60B2DQ3G

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
APT75GN60B2DQ3G
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.