| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | POWER MOS 8™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 143A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 47A |
| Power - Max | 625W |
| Switching Energy | 840µJ (on), 751µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 230nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/158ns |
| Test Condition | 400V, 47A, 4.7 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 22ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Supplier Device Package | TO-264 |
IGBT 600V 143A 625W TO264 - IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264
IGBT транзисторы APT80GA60LD40
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 1 472.88 р. |
| 10 | 1 339.26 р. |
| 25 | 1 238.85 р. |
| 100 | 1 138.41 р. |
| 250 | 1 037.96 р. |
| 500 | 971.00 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.