| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | POWER MOS 8™ |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 145A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 239A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 47A |
| Power - Max | 625W |
| Switching Energy | 1652µJ (on), 1389µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 200nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/149ns |
| Test Condition | 600V, 47A, 4.7 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Supplier Device Package | TO-264 |
IGBT 900V 145A 625W TO-264 - IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-264
IGBT транзисторы APT80GA90LD40
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 1 396.49 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.