РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

APT85GR120B2

Производитель: Microsemi Corporation
Арт: 80165
1 766.64 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Microsemi Corporation 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 170A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 340A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 85A 
Power - Max 962W 
Switching Energy 6mJ (on), 3.8mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 660nC 
Td (on/off) @ 25°C 43ns/300ns 
Test Condition 600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package T-MAX™ 

Описание

IGBT 1200V 170A 962W TO247 - IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX™

IGBT транзисторы APT85GR120B2

Datasheet APT85GR120B2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Мин. кол-воЦена
1 766.64 р. 
10 1 605.89 р. 
25 1 485.41 р. 
100 1 364.97 р. 
250 1 244.54 р. 
APT85GR120B2
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.