| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Series | - |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 208A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 400A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 95A |
| Power - Max | 892W |
| Switching Energy | 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 420nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 29ns/226ns |
| Test Condition | 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
IGBT 650V 208A 892W T-MAX - IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX™ [B2]
IGBT транзисторы APT95GR65B2
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 1 152.60 р. |
| 10 | 1 037.24 р. |
| 25 | 945.05 р. |
| 100 | 852.85 р. |
| 250 | 783.70 р. |
| 500 | 714.55 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.